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激活深度≥7μm

單(dan)位小(xiao)時產出＞25 @8"

優(you)異(yi)的(de)方阻均勻性和表面顏色(se)

完整的(de)全(quan)程監控反饋能力

支持超薄片、TAIKO片、翹曲(qu)片退火

具備激光輔助(zhu)加(jia)熱系統(tong)

薄膜去除深度靈活，最小支持深度0.33μm

支持晶圓制造中各類(lei)無機/金屬薄(bo)膜(mo)去除，如：oxide/nitride/poly si/metal

優異的(de)平整度(du)均(jun)勻性，表面幾乎零(ling)缺陷

精密的激(ji)光控制(zhi)系(xi)統，熱影響小

零耗材、低污染，成本優(you)勢(shi)明顯

產能優異

兼容8~12寸晶圓

兼容性好，可同時切割4~12寸(cun)及不同厚度(du)的晶圓

支持藍寶(bao)石、硅(gui)、碳化硅(gui)、鉭酸鋰等襯底(di)材(cai)質

良好(hao)的(de)定位精度(du)及重復定位精度(du)

切割質量高(gao)，直線度好(hao)，無崩邊、裂痕

 切(qie)(qie)割(ge)區域影響小，切(qie)(qie)割(ge)道(dao)≤20μm