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Technology Application

技術(shu)應用(yong)

激光摻雜技術

Laser doping technology


應用(yong)原理 / Principle


激光(guang)摻雜智能制造(zao)設(she)備,通(tong)過激光(guang)摻雜技(ji)術,在(zai)金(jin)(jin)屬柵線(電(dian)極(ji))與硅(gui)片接觸(chu)部分進行重摻雜,而電(dian)極(ji)以外位置保持輕摻雜(低濃度(du)摻雜),這種(zhong)結構(gou)減少發射極(ji)表面少子的(de)復合,而金(jin)(jin)屬電(dian)極(ji)和發射極(ji)之間(jian)又能形成良好的(de)歐姆接觸(chu),從而獲得更高(gao)的(de)短路(lu)電(dian)流、開路(lu)電(dian)壓(ya)和填充因子,提高(gao)太陽能電(dian)池轉(zhuan)化效率。



工藝簡介

Process Introduction

 在(zai)常(chang)規(gui)產(chan)線上增(zeng)(zeng)加激光摻雜智能(neng)制造設(she)備,可實現(xian)PERC生產(chan)線的(de)選擇性發射極太陽能(neng)電池(chi)的(de)升級改造,轉(zhuan)換效率(lv)輕松增(zeng)(zeng)加0.2~0.3%,標準型組(zu)件功率(lv)輕松增(zeng)(zeng)長3~5W。