Technology Application
技術應用(yong)
Laser boron doping technology
應用原(yuan)理(li) / Principle
激(ji)光(guang)硼摻雜(za)(za)技(ji)術是在現有PERC電(dian)池(chi)技(ji)術基礎上，通過(guo)沉積或印刷硼摻雜(za)(za)源，在激(ji)光(guang)背(bei)面開槽過(guo)程中，同步形成激(ji)光(guang)重摻雜(za)(za)區 P++層。其中激(ji)光(guang)摻雜(za)(za)形成的(de)P++層，可以有效的(de)降低背(bei)面接觸(chu)復合(he)速率，同時(shi)降低背(bei)面硅鋁接觸(chu)電(dian)阻，提升太陽電(dian)池(chi)開路電(dian)壓Voc和填(tian)充因子FF，提升電(dian)池(chi)轉換效率。
Process Introduction
激光硼摻雜(za)技術是PERC電池(chi)技術未來升(sheng)級的(de)(de)方向(xiang)之一(yi)。采用(yong)CVD沉積或者印刷方式，在PERC藍膜片背面(mian)形(xing)(xing)(xing)成一(yi)層硼摻雜(za)源，通過激光開槽過程中(zhong)的(de)(de)熱效(xiao)應，將硼元素同步摻雜(za)進(jin)硅襯底中(zhong)，形(xing)(xing)(xing)成P++層，即(ji)重摻雜(za)區(qu)。一(yi)方面(mian)，重摻雜(za)區(qu)形(xing)(xing)(xing)成P++P高低結，形(xing)(xing)(xing)成場鈍化效(xiao)應，另一(yi)方面(mian)，可有(you)效(xiao)降低鋁(lv)硅接觸電阻，從這(zhe)兩(liang)方面(mian)提升(sheng)Voc 和FF，進(jin)而提高太(tai)陽(yang)電池(chi)轉換(huan)效(xiao)率。
