應用原理 / Principle

Light-Induced Annealing（LIA）： α-Si：H/c-Si的(de)(de)界面(mian)存在(zai)大量的(de)(de)界面(mian)態（Si懸(xuan)掛鍵(jian)），研究發現，在(zai)光(guang)照(zhao)的(de)(de)情況(kuang)下，對(dui)此(ci)結構(gou)進(jin)行(xing)加熱(re)退火(huo)，可以有效(xiao)減少界面(mian)態（Si懸(xuan)掛鍵(jian)）密度，降低界面(mian)復合，從而提(ti)高非晶硅的(de)(de)鈍化效(xiao)果。這個現象稱之為光(guang)誘導退火(huo)，簡稱LIA；HJT電(dian)池結構(gou)中，存在(zai)α-Si：H /c-Si的(de)(de)界面(mian)；在(zai)光(guang)照(zhao)情況(kuang)下，對(dui)HJT電(dian)池進(jin)行(xing)加熱(re)退火(huo)，發現電(dian)池轉換效(xiao)率明(ming)顯上(shang)升，主(zhu)要體現在(zai)Voc和FF的(de)(de)提(ti)升上(shang)。